前言
對于那些經常關注頭網的讀者朋友們，相信你們對于各類充電設備、技術的了解一定頗為深入。而在眾多充電產品中中，快充86面板是一款為用戶帶來充電“升級”創(chuàng)新產品?？斐?6面板所帶來的“體驗”升級，并不僅僅局限于充電速率的提升和廣泛兼容各種充電協(xié)議。更是一種對于便捷和美觀的雙重追求。以往我們使用的傳統(tǒng)86面板往往需要搭配一個快充適配器才能充電，線纜交錯讓插座區(qū)域顯得雜亂無章，而換用快充86面板則會更加平整，使得插座區(qū)域看起來更加整潔美觀。
但快充86面板內置的空間有限，想要實現高功率輸出，離不開其內置的氮化鎵方案。氮化鎵作為一種新型半導體材料，具有高熱導率、高擊穿電場和良好的熱穩(wěn)定性等優(yōu)點。在快充86面板中，氮化鎵技術的應用使得充電轉換效率更高、發(fā)熱更低，從而保證了充電過程的安全和穩(wěn)定。同時，氮化鎵還具有良好的兼容性，能夠支持多種充電協(xié)議和設備類型，滿足了不同用戶的充電需求，可以說大功率快充86面板內置氮化鎵方案是實現體驗升級的關鍵所在。
內置氮化鎵方案的快充86面板
頭網最近在整理最近的拆解案例時，發(fā)現有兩款快充86面板內置氮化鎵快充方案以實現高效輸出。下文出現的主控芯片以及氮化鎵功率器件型號如圖所示，詳細信息小編將在下文為您詳細介紹。
魅族lipro 65W 2C1A氮化鎵86面板
lipro這款快充面板自帶2C1A接口，取代了傳統(tǒng)充電器，能夠直接插線為手機充電，大大方便了消費者使用。同時氮化鎵技術的加持，提升了功率密度，在插座盒有限的空間內部，達成了65W的輸出功率，滿足筆記本和手機充電需求。
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內置氮化鎵主控芯片方案
安森美NCP1342
安森美NCP1342是一顆高頻反激準諧振初級PWM控制器，內置高壓啟動，主動X2電容放電、支持寬范圍Vcc供電、支持外接熱敏電阻進行過熱保護和多重完善安全保護，功能豐富，空載功耗低，提供SOIC−9、SOIC-8封裝。
納微NV6117
納微氮化鎵功率芯片NV6117內置驅動器以及復雜的邏輯控制電路，120mΩ導通電阻，耐壓650V，支持2MHz開關頻率，采用5*6mm QFN封裝，節(jié)省面積，NV6117內置驅動器，無需外置驅動器，節(jié)省PCB空間。
雷士電工65W 1A1C快充86面板N25
雷士電工快充86面板具備1A1C快充接口，可以像傳統(tǒng)的插座面板一樣安裝在墻壁內部。USB-C接口支持65W輸出，USB-A接口支持30W輸出，在使用時可以直接連接數據線為筆記本電腦或手機充電，免去尋找插座連接充電器的麻煩。
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內置氮化鎵主控芯片方案
安森美NCP1342
雷士電工這款快充面板同樣內置安森美NCP1342，相關參數上文有所提及，這里便不再贅述。
英諾賽科INN650D190A
英諾賽科INN650D190A是一顆耐壓為650V的增強型氮化鎵高壓單管，導阻為190mΩ，采用DFN8*8封裝。支持超高開關頻率，無反向恢復電荷，具有極低的柵極電荷和輸出電荷，符合JEDEC標準的工業(yè)應用要求，內置ESD保護，符合RoHS、無鉛、歐盟REACH法規(guī)。
網總結
文中提到的快充86面板通過內置氮化鎵方案實現了高功率輸出、充電效率提升和安全穩(wěn)定的充電體驗。安森美的NCP1342主控芯片、納微的NV6117功率器件以及英諾賽科的INN650D190A增強型氮化鎵單管為兩款產品提供了可靠的支持，使得86面板在有限空間內能夠實現高效率輸出。
另外，近年來隨著新能源車、儲能和通信技術的迅速發(fā)展，氮化鎵作為關鍵材料在功率器件領域的應用逐步增加。同時國內的氮化鎵產業(yè)鏈不斷完善，從研發(fā)、生產到銷售應用，形成了完整的產業(yè)生態(tài)系統(tǒng)。多家企業(yè)技術研發(fā)的投入也推動了國內氮化鎵相關配套行業(yè)的快速崛起。未來，隨著技術創(chuàng)新和市場需求的不斷擴大，有望形成全球最大的氮化鎵產品鏈。